【摘 要】
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ZnO是一种新型的宽带化合化半导体材料,对短波长的光电子器件如UV探测器,LED和LD有着巨大的潜在应用.本实验研究采用直流反应磁控溅射法在硅衬底上沉积C轴择优取向的ZnO晶体
【基金项目】
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国家重点基础研究发展计划(973计划)
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ZnO是一种新型的宽带化合化半导体材料,对短波长的光电子器件如UV探测器,LED和LD有着巨大的潜在应用.本实验研究采用直流反应磁控溅射法在硅衬底上沉积C轴择优取向的ZnO晶体薄膜,薄膜呈柱状结构,晶粒大小约为100nm,晶粒内为结晶性能完整的单晶,但晶粒在C轴方向存在较大的张应力.ZnO薄膜在He-Cd激光器激发下有较强的紫外荧光发射,应力引起ZnO禁带宽度向长波方向移动,提高衬底温度有利于降低应力和抑制深能级的绿光发射.
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