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用电子全息技术测量了掺铌∑13[001]钛酸锶倾转双晶界面的电势场分析。结果显示掺杂前界面处的Schottky势垒已消失，表明铌原子占据了界面处氧离子空位，消除了电荷聚集在界面处的分布状态，有选择性地掺杂金属元素可以补偿晶界固有的内禀缺陷，达到调制导电陶瓷材料电学性能的目的。
掺杂铌对钛酸锶双晶界面势垒的抑制作用
【摘 要】
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用电子全息技术测量了掺铌∑13[001]钛酸锶倾转双晶界面的电势场分析。结果显示掺杂前界面处的Schottky势垒已消失，表明铌原子占据了界面处氧离子空位，消除了电荷聚集在界面处
【机 构】
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中国科学院物理研究所北京电子显微镜实验室100080
【出 处】
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金属功能材料
【发表日期】
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2002年1期
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