论文部分内容阅读
二氧化硅由于具有良好的绝缘性能及稳定的硅／二氧化硅界面而长期用于硅集成电路的制备。然而对于纳米线宽的集成电路，需要寻找新的高介电常数（高k）的栅极介质材料代替二氧化硅，以保持一定的物理厚度和优良的耐压及漏电性能。这些栅极候选材料必须有较高的介电常数，合适的禁带宽度，高质量的表面形貌和热稳定性并与硅衬底间有良好界面。此外，其制备加工技术最好能与现行的硅集成电路工艺相兼容。本文从固体物理和材料科学理论出发，阐述选择高k栅介质材料的基本原则，介绍目前研究的材料体系、制备方法、材料性能以及界面稳定性，并展望了这些