Monte Carlo方法模拟低能电子束曝光电子散射轨迹

来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:j19871010
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建立了一个适用于描述低能电子散射的物理模型,利用Monte Carlo方法对低能电子在多元多层介质中的散射过程进行模拟。低能电子弹性散射采用较严格的Mott截面描述,为了节约机时,利用查表与线性插值方法获得Mott截面值;低能电子非弹性散射能量损失采用Joy修正的Bethe公式计算,并对其加以改进,引入多元介质平均电离电位、平均原子序数、平均原子量概念,利用线性插值方法给出光刻胶PMMA对应的k值。对电子穿越多层介质提出一种新的边界处理方法。在此基础上运用Monte Carlo方法模拟高斯分布低能电子束在
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