【摘 要】
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单分子层二硫化钼(MoS2)是一种具有直接带隙1.8eV的二维半导体,因其特殊的六方晶系层状结构,其晶体管比硅晶体管体积更小、更省电。通过采取化学气相沉积(CVD)法制备二硫化钼
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单分子层二硫化钼(MoS2)是一种具有直接带隙1.8eV的二维半导体,因其特殊的六方晶系层状结构,其晶体管比硅晶体管体积更小、更省电。通过采取化学气相沉积(CVD)法制备二硫化钼薄膜,利用电子束蒸发长约几纳米的金属钼薄膜,金属钼和硫粉在CVD系统发生化学反应生成均匀连续的二硫化钼薄膜,在这过程中硫蒸汽会腐蚀硅基底,所以要采用转移工艺把制备的MoS2薄膜转移到新硅基底上。通过光刻、长电极等工艺在MoS2薄膜沉积Ni、Ti、Al金属电极,采用探针法测试MoS2晶体管的I-V特性曲线,研究不同金属电极对接触电阻大小的影响,并找出接触电阻最小且最适合作接触电极的金属材料。
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