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为了提高量子环红外探测器（Quantum Ring Infrared Photodetector,QRIP）的灵敏度,抑制QRIP的暗电流,提出了一种具有倍增区、量子环吸收层以及Al0.3Ga0.7As/In0.1Ga0.9As双势垒结构的倍增型QRIP结构。基于量子环的三维薛定谔方程建立了QRIP的数值模型,并对QRIP的光电特性进行了仿真。仿真结果表明,倍增型QRIP的响应度可以达到40 A/W,归一化探测率可以达到2×1010cm·Hz1/2/W。