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对一种新型InGaAs-GaAs脊波导分布式Bragg反射（Ⅸ泯）半导体激光器双模运行特性进行了研究。该激光器由1个普通增益区和2个DBR区组成，两DBR区采用均匀蚀刻的Bragg光栅，中间加入50～100μm的分隔区，以减小两DBR区间的热作用影响。实验发现，在增益区偏置电流强度满足双模（双波长）运行条件的情况下，在分隔区施加一电流Ispace，会对双模调谐特性产生非常大的影响。结果表明：施加适当的Ispace可使双波长的可调谐间隔显著增加，并同时提高2个激射模的边模抑制比；在一定的范围内，较大的Isp