【摘 要】
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本文采用适用于双栅结构的双向直流传输特性方法分析了又栅MOSFET在考虑扩散岛电阻后的内电压和工作状态,可用于器件特性分析及电路设计中.结果表明在一定电阻值范围内,该方
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本文采用适用于双栅结构的双向直流传输特性方法分析了又栅MOSFET在考虑扩散岛电阻后的内电压和工作状态,可用于器件特性分析及电路设计中.结果表明在一定电阻值范围内,该方法是简便而有效的.
In this paper, we analyze the internal voltage and working state of MOSFET with the double-gate structure according to the bi-directional DC transmission characteristics of double-gate structure, which can be used in the device characteristics analysis and circuit design.The results show that within a certain range of resistance, This method is simple and effective.
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