【摘 要】
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采用磁控溅射工艺在微波腔体耦合器内壁沉积了银/铜双层膜,并对该膜的电性能以及膜基结合强度等进行了研究。结果表明：采用磁控溅射法沉积的银/铜双层膜和基体的结合强度可达5
【机 构】
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浙江大学信息与电子工程学系,昆山万丰电子有限公司
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采用磁控溅射工艺在微波腔体耦合器内壁沉积了银/铜双层膜,并对该膜的电性能以及膜基结合强度等进行了研究。结果表明：采用磁控溅射法沉积的银/铜双层膜和基体的结合强度可达5.0 MPa;其中,内壁沉积有2μm银/2μm铜双层膜的耦合器的电性能最佳,耦合度为5.75~6.20dB,隔离度为31.02dB,端口驻波值为24.43dB,均达到了电镀的指标,插入损耗小于1.70dB,优于电镀的;该工艺用银量少,无污染,可替代电镀在微波器件表面沉积功能镀层。
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