【摘 要】
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采用射频磁控溅射法在蓝宝石衬底上制备了InN薄膜.研究了N2流量对InN薄膜的晶体结构、表面形貌、光学和电学特性的影响.X射线衍射(XRD)测试结果显示,InN呈六方纤锌矿结构,具
【机 构】
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河南科技大学物理工程学院河南省光电储能材料与应用重点实验室,洛阳471023
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采用射频磁控溅射法在蓝宝石衬底上制备了InN薄膜.研究了N2流量对InN薄膜的晶体结构、表面形貌、光学和电学特性的影响.X射线衍射(XRD)测试结果显示,InN呈六方纤锌矿结构,具有明显(002)择优取向;SEM与AFM图像显示InN薄膜均匀致密,低N2流量下随流量增加,表面逐渐趋于光滑平整,过高的N2流量使薄膜生长方式发生改变;通过检测薄膜吸收特性,利用线性外推法计算禁带宽度为1.81 ～1.96 eV;电学测试结果表明,制备的薄膜样品均呈现n型导电特性,且迁移率较低,最大为12.2cm2/v·s;载流子浓度较高,保持在1021 cm-3数量级;电阻率较小,范围是0.202～0.33 mΩ·cm.
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