单晶SiC化学机械抛光基础研究——电芬顿反应条件优化及6H-SiC氧化效果分析

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【摘要】

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目的揭示电芬顿参数对生成羟基自由基(·OH)最大浓度和·OH总量的影响规律,实现电芬顿反应对单晶6H-SiC氧化腐蚀的最大化。方法通过6因素5水平正交试验,分析电压大小

【作者】

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邓家云潘继生阎秋生

【机构】

：

广东工业大学机电工程学院

【出处】

：

表面技术

【发表日期】

：

2020年4期

【关键词】

：

电芬顿 6H-SIC 化学机械抛光正交试验羟基自由基氧化反应 Electro-Fenton6H-SiCchemical mechanical polish

【基金项目】

：

NSFC-广东联合基金(U1801259),广州市科技计划项目资助(201904010300),广东省自然科学基金(No.2019A1515011243)

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目的揭示电芬顿参数对生成羟基自由基(·OH)最大浓度和·OH总量的影响规律,实现电芬顿反应对单晶6H-SiC氧化腐蚀的最大化。方法通过6因素5水平正交试验,分析电压大小、电极种类、氧化剂过氧化氢(H2O2)浓度、催化剂种类、催化剂浓度以及反应液pH等参数对电芬顿反应生成·OH最大浓度和·OH总量的影响规律,找出最佳试验组合和主要影响因素,并利用最佳试验组合与同等条件下的芬顿反应对单晶6H-SiC进行氧化腐蚀对比分析。结果影响电芬顿反应生成·OH最大浓度和&

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