X射线影像存储材料BaFxCl2—x:Eu^2+的制备及其热释发光和光激励发光

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本文采用了不同温度下两次烧结的新方法,制备了系列X射线影像存储材料BaFxCl2-x:Eu^2+(x=0.90,0.95,1.00,1.05,1.10,1.15).cefpntyoF/Cl比值,研究了在X射线辐照后BaFxCl2-x:Eu^2+的热释发光性质,给出了热释发光峰的温度与缺陷种类的关系。最后,我们研究了BaFxCl2-x:Eu^2的光激励发光性质,给出了F/Cl比值与光激励发光强度的关系。
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