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用超声分散浸渍法制备了掺杂SO4^2-的In2O3半导体气敏材料，并对其电导和气敏性能进行了研究．结果表明：SO4^2-的掺入改变了N型半导体In2O3材料的导电性能；少量SO4^2-(ω(SO4^2-)≈2％)的存在，能提高材料的比表面积和表面吸附氧O2^n-量，187℃下对乙醇有较好的选择性和灵敏度。