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考虑电场及隧穿效应的影响,基于常微分数值计算方法,并利用量子阱系统边界条件自洽求解薛定谔方程和泊松方程,获得电子本征态。以典型的GaN/Al,Ga1-xN量子阱为例,计算了势阱中电子的本征能级和带内跃迁能。结果表明,电子在量子阱中的能量是量子化的,内建电场促使能级间距增大;调节阱宽及组分可以获得不同能级并改变跃迁能。