深亚微米CMOS工艺浮栅结构ESD保护电路设计

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CMOS工艺进入到深亚微米时代,对电路的静电保护能力提出了极大的挑战,本报告在GGNMOS结构ESD保护电路的基础上,提出了一种浮栅结构的静电保护电路和其栅极反偏电路,分析了0.13μmCMOS工艺下浮栅结构NMOS的I-V特性分析和漏电流特性,结果表明该浮栅结构ESD保护电路抗静电能力强、触发电压低,漏电流小。 CMOS technology into the deep sub-micron era, the electrostatic protection of the circuit presents a great challenge to this report on the GGNMOS structure ESD protection circuit based on the proposed floating gate structure of the electrostatic protection circuit and its gate The results show that the floating gate structure ESD protection circuit has strong antistatic ability, low trigger voltage and small leakage current.
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