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利用TCAD半导体器件仿真软件对中低倍聚光光伏系统中应用的N型叉指背接触（IBC）单晶硅太阳电池的电学性能进行了仿真研究。全面系统地分析了在不同聚光比情况下，单元电池发射区半宽度对聚光IBC太阳电池短路电流密度、开路电压、填充因子及转换效率的影响。仿真结果表明：聚光IBC太阳电池的电学性能受到单元电池发射区半宽度和聚光比的显著影响。在不同的聚光比情况下，存在最优的发射区半宽度，使得聚光IBC太阳电池转换效率最高。随着聚光比的增大，最优的发射区半宽度减小。虽然增大聚光比可提高聚光IBC太阳电池的转换效率，但