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以硫酸铜-乳酸体系为电解液，采用电化学法制备Cu2 O，分别探讨了表面活性剂浓度、CuSO4浓度、溶液pH值、沉积电压、温度、添加剂等工艺参数对Cu2 O形貌结构和尺寸的影响，并通过X射线衍射分析仪和扫描电镜等对Cu2 O进行表征测试。试验结果表明：CTAB在一定范围内可以起到抑制晶体（200）面生长而促进（111）面择优生长的作用；随着CuSO4浓度的增大，Cu2 O晶型由锥型向方型过渡；随着溶液pH值（8、10、12）的增大，Cu2 O晶型由缺角立方晶型经过立方晶型向棱锥型转变；沉积电压的改变对Cu2