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日立环球存储科技公司推出Ultrastar固态硬盘以满足公用服务和云计算需求
10月12日，面对不断发展的企业级存储市场，作为最先在业界推出企业级SAS与FC固态硬盘 （SSD） 的硬盘制造商，日立环球存储科技公司日前宣布为惠普HP 3PAR F系列、T系列及全新P10000 V系列存储系统提供3.5英寸光纤通道（FC）Ultrastar SLC（单层存储单元）固态硬盘，以满足企业级、云端数据中心及中小型企业的需求。Ultrastar SSD400S固态硬盘系列是日立与英特尔共同开发的产品，可为迫切需要高性能、高耐用性企业级固态硬盘的OEM客户带来独特价值，客户可以轻松、延续并灵活地将企业级固态硬盘集成到全新或现有的企业存储系统或设计中。
惠普HP 3PAR系统是专为虚拟和云端数据中心的灵活性和高效所设计。无论是以公用服务形式提供企业信息技术，还是整合海量虚拟机，HP 3PAR都具有高延展性、多重用户安全性、自动化管理、精简技术等优势。HP 3PAR不仅能减少一半的购置成本和相关营运成本，还能提升管理效率达十倍之多。
英特尔3-D三栅极晶体管设计被美媒体评为2011年度科技创新奖
10月21日，《华尔街日报》近日公布2011年“科技创新奖”，英特尔的3-D三栅极晶体管设计获得半导体类别创新大奖。英特尔的3-D三栅极晶体管结构代表着从2-D平面晶体管结构的根本性转变。这项革命性成果，其关键在于英特尔能够把全新的3-D三栅极晶体管设计投入批量生产，开启了摩尔定律的又一个新时代，并且为各种类型的设备的下一代创新打开了大门。
《华尔街日报》在2011年科技创新奖的报告中，如此评价这项技术：“英特尔凭借3-D三栅极晶体管设计在半导体类别中拔得头筹。3-D三栅极晶体管使得制造更小的半导体成为可能，在提高性能的同时降低了能耗。这家位于加州圣克拉拉的芯片巨头预期将在年末投产采用这项新技术的处理器，首次将3-D三栅极晶体管设计投入大规模制造。这项技术将用于英特尔下一代产品Ivy Bridge中，而采用这款芯片的设备预计将在明年上市。”
3-D三栅极晶体管实现了晶体管的革命性突破。传统“扁平的”2-D平面栅极被超级纤薄的、从硅基体垂直竖起的3-D硅鳍状物所代替。与之前的32nm平面晶体管相比，22nm 3-D三栅极晶体管在低电压下将性能提高了37%，而全新的晶体管只需消耗不到一半的电量，就能达到与32nm芯片中2-D平面晶体管一样的性能。
10月12日，面对不断发展的企业级存储市场，作为最先在业界推出企业级SAS与FC固态硬盘 （SSD） 的硬盘制造商，日立环球存储科技公司日前宣布为惠普HP 3PAR F系列、T系列及全新P10000 V系列存储系统提供3.5英寸光纤通道（FC）Ultrastar SLC（单层存储单元）固态硬盘，以满足企业级、云端数据中心及中小型企业的需求。Ultrastar SSD400S固态硬盘系列是日立与英特尔共同开发的产品，可为迫切需要高性能、高耐用性企业级固态硬盘的OEM客户带来独特价值，客户可以轻松、延续并灵活地将企业级固态硬盘集成到全新或现有的企业存储系统或设计中。
惠普HP 3PAR系统是专为虚拟和云端数据中心的灵活性和高效所设计。无论是以公用服务形式提供企业信息技术，还是整合海量虚拟机，HP 3PAR都具有高延展性、多重用户安全性、自动化管理、精简技术等优势。HP 3PAR不仅能减少一半的购置成本和相关营运成本，还能提升管理效率达十倍之多。
英特尔3-D三栅极晶体管设计被美媒体评为2011年度科技创新奖
10月21日，《华尔街日报》近日公布2011年“科技创新奖”，英特尔的3-D三栅极晶体管设计获得半导体类别创新大奖。英特尔的3-D三栅极晶体管结构代表着从2-D平面晶体管结构的根本性转变。这项革命性成果，其关键在于英特尔能够把全新的3-D三栅极晶体管设计投入批量生产，开启了摩尔定律的又一个新时代，并且为各种类型的设备的下一代创新打开了大门。
《华尔街日报》在2011年科技创新奖的报告中，如此评价这项技术：“英特尔凭借3-D三栅极晶体管设计在半导体类别中拔得头筹。3-D三栅极晶体管使得制造更小的半导体成为可能，在提高性能的同时降低了能耗。这家位于加州圣克拉拉的芯片巨头预期将在年末投产采用这项新技术的处理器，首次将3-D三栅极晶体管设计投入大规模制造。这项技术将用于英特尔下一代产品Ivy Bridge中，而采用这款芯片的设备预计将在明年上市。”
3-D三栅极晶体管实现了晶体管的革命性突破。传统“扁平的”2-D平面栅极被超级纤薄的、从硅基体垂直竖起的3-D硅鳍状物所代替。与之前的32nm平面晶体管相比，22nm 3-D三栅极晶体管在低电压下将性能提高了37%，而全新的晶体管只需消耗不到一半的电量，就能达到与32nm芯片中2-D平面晶体管一样的性能。