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采用射频磁控溅射法分别在Ar/N2和Ar/O3气氛中制备了厚度为80-300nm的Sialon薄膜,研究了沉积功率对Sialon薄膜的介电性能的影响。发现在Ar/N2气氛中沉积的Sialon薄膜具有较高的介电常数,漏电流密度和介电损耗也稍大。在Ar/N2气氛下沉积的SiMon薄膜的介电常数在4.8~8.5之间,反映介电损耗的参数△Vy在0.010-0.045V之间,在50Mv/m直流电场下的正、反向漏电流密度在10^-10-10^-8数量级,击穿场强在201-476MV/m;在Ar/O2气氛下沉积的Sia