【摘 要】
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利用由CMOS多谐振荡桥及低通滤波器产生的正弦信号激励的钴基非晶带巨磁阻抗（GMI）效应设计出一种非接触型电流传感器。该非晶带经频率为2Hz,密度为35A/mm2,持续时间40s的脉冲电
【机 构】
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江苏大学机械工程学院,江苏大学科学研究院
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利用由CMOS多谐振荡桥及低通滤波器产生的正弦信号激励的钴基非晶带巨磁阻抗（GMI）效应设计出一种非接触型电流传感器。该非晶带经频率为2Hz,密度为35A/mm2,持续时间40s的脉冲电流退火。非晶带采用串联层叠方式嵌于带气隙的环形磁芯中,推出了气隙中的层叠非晶带受到的导线电流所产生的磁场公式。给出了传感器信号处理电路框图。当磁芯中引入强负反馈磁场时,实验结果表明,新型电流传感器的非线性误差小于0.5%FS,线性量程±7A。
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