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本文就碲镉汞光伏型探测器研制中的后工序受热过程对探测器性能的影的进行了讨论,给出了半定量的分析,并指出产生这种影响的主要原因是汞原子在受热过程中的再分布。同时给出了两组后工序受热过程前后 p-n 结正、反向电阻变化的数据。认为,减少这种影响的方法是减少后工序中受热过程的次数和时间,并互相适应的工艺环节对器件的表面进行保护。