【摘 要】
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本文叙述E波段(60～90GHz)GaAs体效应二极管的设计及其研制结果,着重阐述合理设计材料参数和结构参数,通过选择最佳材料参数和使用超小型同轴陶瓷管壳,使器件的微波性能和可靠
【机 构】
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南京固体器件研究所,南京固体器件研究所,南京固体器件研究所
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本文叙述E波段(60～90GHz)GaAs体效应二极管的设计及其研制结果,着重阐述合理设计材料参数和结构参数,通过选择最佳材料参数和使用超小型同轴陶瓷管壳,使器件的微波性能和可靠性得列提高。在80GHz和90GHz频率下,分别获得了70mW和42mW的输出功率,效率相应为2.6％和2.1％。
This paper describes the design and development of E-band GaAs body-effect diode (60 ~ 90GHz), and focuses on the rational design of material parameters and structural parameters. By selecting the best material parameters and using ultra-small coaxial ceramic tube, Increased performance and reliability. At 80GHz and 90GHz frequencies, 70mW and 42mW of output power were obtained, respectively, with corresponding efficiencies of 2.6% and 2.1%.
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