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航天科技是国家综合国力的体现,是推动国家建设、科技创新和经济社会发展的战略制高点.加快航天科技发展与应用,对建设国家战略科技力量,提升产业核心竞争力,实现经济高质量发展,改善国计民生具有重要意义.
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为解决高速移动场景下常规载波跟踪方法精度低以及响应速度慢的问题,提出了一种基于扩展粒子滤波的单载波通信信号载波跟踪方法.该方法将扩展卡尔曼滤波和粒子滤波相结合来实现科斯塔斯环中的环路滤波器功能,其中以反正切鉴别器的输出数值作为观测量,以本地载波与接收信号之间的相位差、载波频偏和频偏变化率作为扩展卡尔曼滤波器的状态量.本文首先给出了高速移动通信场景下的高动态信号模型,其次对基于扩展粒子滤波的载波跟踪方法进行了理论分析,再次给出了载波跟踪方法的工作步骤,最后分别对采用锁频环与锁相环组合算法、扩展卡尔曼滤波、粒
本文设计了一种新型栅控双向可控硅晶闸管(GDDSCR)防护器件,用Rx元件代替可控硅晶闸管(SCR)的触发面来模拟SCR的触发和保持行为,实现了一种用于静电放电(ESD)防护的SCR宏模型.基于0.18μm BCD工艺制造的GDDSCR器件的传输线脉冲(TLP)测试结果与模型仿真结果的触发电压误差为0.008V,维持电压误差为0.006V.实验结果表明建立的SCR宏模型能够有效地模拟SCR器件在ESD应力下的物理机制.该宏模型以直接的方式从被保护电路中使用的相同SCR结构中提取相关参数,大大提高了建模效率
SRAM型FPGA的可重构能力已经被用于实现宇航应用FPGA的故障定位,通常故障定位采用覆盖性测试,需进行多次“码流加载、测试”的迭代.FPGA码流规模的增加,使得迭代测试消耗时间以及测试码流存储空间的不断提高,而这种需求几乎无法在空间电子系统中实现.本文通过码流解析,总结多组码流地址计算公式,包括待测单元坐标、行地址、主地址、辅地址等信息.借助码流地址计算公式可实现任意物理位置Tile(基本单元)的码流寻址并可确认Tile内部结构配置信息.在此基础上提出一种在待测FPGA本地进行分区对比测试的故障定位方
为提高器件的击穿电压,提出了一种具有间断场板和栅下极化层结构的常开型AlGaN/GaN HEMT.分析了器件击穿电压提高的机理.优化了器件结构参数.结果 表明,该常开型AlGaN/GaN HEMT的击穿电压从仅有单一场板时的1187V提升到了1573V.该新型结构能够保证AlGaN/GaN HEMT在高压条件下正常工作,极大地提高了器件的击穿性能.
针对可穿戴医疗设备,设计了一款0.5V供电、2 kS/s采样率、10 bit精度的低压超低功耗逐次逼近型模数转换器(SAR ADO).设计采用自举采样开关来实现高线性采样.在低功耗策略上,使用了0.5V的电压供电,使电路中绝大多数晶体管处于亚阚值区,由此产生的极低的电流对整体功耗的降低起了关键作用.另一种低功耗策略表现为在各个模块的选择、设计上,采用的5~5分段且逐位分裂的DAC电容阵列在降低自身能耗的同时省去了基准电路,降低了整体功耗,比较器以及SAR逻辑均采用无静态功耗的动态结构来降低能耗,此外,特别
学位
针对高温引起MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)器件饱和输出电流值发生退化的问题,开展了对SOI(绝缘体上硅)工艺器件的高温特性分析.结果 表明FDSOI的饱和输出电流随温度变化值△I/I=1.9%,远小于PDSOI的△I/I=24.1%.其原因是超薄体FD(全耗尽)SOI的结构优势使其和PD(部分耗尽)SOI相比拥有更低的阈值电压温度漂移率和更小的载流子迁移率改变量.
设计了一种用于电流舵DAC电流开关的高速编码逻辑电路.为了实现高运算速率,该电路采用多米诺结构;为了增强抗辐照能力,采用电阻电容双互锁结构进行加固.通过远程测试平台进行抗单粒子效应实测,普通电路在LET值为37.2 MeV·cm2/mg条件下,在离子总注量累积4.3×106 ions/cm2时,软错误次数便达到100次;而加固后的电路在同样的LET值下,离子总注量累积到107 ions/cm2时,软错误次数仅为24次,抗SET及SEU能力大大加强.
为提高压电能量采集(piezoelectric energy harvesting,PEH)系统的转换效率,文章在传统全桥整流器(full-bridge rectifier,FBR)以及同步开关电感收集(synchronous switch harvesting on inductor,SSHI)技术的基础上,设计了冷启动同步开关电容收集(synchronous switch harvesting on capacitors,SSHC)整流器.整流器电路可在冷态下提供较高的开路电压,使系统加快进入正常工作
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