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以A.Kobayashi等的半经验紧束缚模型和Hjalamrson-Vogh-Wolford-Dow深能级理论为基础,计算了Hg1-xCdxTe中阳离子位替代式杂质(包括N,O,C)与最近邻替代式杂质形成sp^3键杂质对后阳离子位杂质A1对称性深能级的变化以及最近邻理想双空位(Vc,Va)的深能级。计算结果表明:阳离子位杂质A1能级的变化取决于与其配对杂质的电负性,杂质对a1能级组分依赖关系dE/