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退火处理对纳米ZnO膜结构及气敏特性的影响
退火处理对纳米ZnO膜结构及气敏特性的影响
来源 :微纳电子技术 | 被引量 : 0次 | 上传用户:tdkfire
【摘 要】
:
用X射线衍射和透射电镜表征了直接沉淀法制得的纳米ZnO粉体的晶型、晶格常数、粒径及形貌等.研究了退火对纳米ZnO粉体制成的膜气敏性质和微结构的影响.结果表明低温退火可以
【作 者】
:
马勇
王万录
廖克俊
葛芳芳
【机 构】
:
重庆大学数理学院,重庆大学数理学院
【出 处】
:
微纳电子技术
【发表日期】
:
2003年7期
【关键词】
:
纳米ZnO膜
气敏特性
氧化锌半导体
退火
沉淀法
微结构
ZnO film
annealing
gas sensing property
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用X射线衍射和透射电镜表征了直接沉淀法制得的纳米ZnO粉体的晶型、晶格常数、粒径及形貌等.研究了退火对纳米ZnO粉体制成的膜气敏性质和微结构的影响.结果表明低温退火可以改善ZnO膜的微结构和气敏效应的稳定性.
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