【摘 要】
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对实验合成的微小尺寸立方氮化硼(cBN)进行横向电光调制, 根据样品的实际情况, 建立了相应的理论和实验方法. 在实验中观测到 cBN 晶体的线性电光效应, 并且测得了样品的半波
【机 构】
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吉林大学电子科学与工程学院集成光电子学国家重点联合实验室吉林大学试验区,吉林大学电子科学与工程学院集成光电子学国家重点联合实验室吉林大学试验区,吉林大学电子科学与工程学院集成光电子学国家重点联合实验室
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对实验合成的微小尺寸立方氮化硼(cBN)进行横向电光调制, 根据样品的实际情况, 建立了相应的理论和实验方法. 在实验中观测到 cBN 晶体的线性电光效应, 并且测得了样品的半波电压, 由此进一步计算出立方氮化硼的线性电光系数, 其值为 1.17×10?14 m/V.
According to the actual situation of the sample, the corresponding theoretical and experimental methods were established.A linear electro-optical effect of cBN crystal was observed in the experiment, and the photocatalytic activity of the sample Half-wave voltage, which further calculated the cubic boron nitride linear electro-optic coefficient, the value of 1.17 × 10? 14 m / V.
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