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针对基极一发射极电压与温度呈非线性关系的问题，设计了一种高阶温度补偿方法：通过在PTAT产生电路的基极引入一个小电阻，在基准电压中迭加一个温度的指数函数，以达到消除高次项的目的。针对电源电压变化的问题，在保留传统带隙基准反馈回路的基础上，提出了一种钳位互补补偿方法，通过稳定偏置电流来降低电源变化对基准的间接影响。文中给出了详细的分析和电路实现。该电路通过Hspice验证，温度系数仅为1．43ppm／℃，并具有0．105mV／V的电源抑制特性及直流PSRR=65dB的高电源抑制比。