【摘 要】
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采用圆点传输线模型(CDTLM),对基于非磁性材料Cr/Au的垂直腔面发射激光器(VCSEL)n型GaAs欧姆接触系统进行了研究.实验结果表明,在400℃下退火35 s后,基于非磁性材料Cr/Au (50
【机 构】
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杭州士兰集成电路有限公司,杭州,310018;北京工业大学信息学部光电子技术教育部重点实验室,北京,100124
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采用圆点传输线模型(CDTLM),对基于非磁性材料Cr/Au的垂直腔面发射激光器(VCSEL)n型GaAs欧姆接触系统进行了研究.实验结果表明,在400℃下退火35 s后,基于非磁性材料Cr/Au (50 nm/300 nm)的n型GaAs欧姆接触系统具有低的比接触电阻率,其值为2.5×10-6Q·cm2.在高合金温度下,基于Cr/Au的欧姆接触系统性能得到了改善.将非磁性材料Cr/Au应用到整个VCSEL结构设计中,当工作温度从20℃升高到50℃时,VCSEL的阈值电流保持在0.65～1 mA,最大输出光功率达到1.71 mW.此外,运用电导数法深入分析了基于Cr/Au电极的VCSEL的可靠性,结果表明基于非磁性材料Cr/Au的VCSEL可以实现良好的金属-半导体界面状态,并具有低的阈值电流和较小的并联非线性电阻,从而获得了低的器件退化率和优异的热稳定性.
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