AlGaAs/GaAs多量子阱光电压的真空敏感特性

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通过测量在不同真空度中的室温光电压谱,发现AlGaAs/GaAs多量子阱的光电压对真空度很敏感。在1个大气压的气氛中,光电压随光子能量的增大呈台阶状下降;而在0.lPa真空度中,光电压随光子能量的增大呈台阶状上升。本文认为,光电压与真空度有关主要归因于AlGaAs/GaAs多量子阱表面吸附的氧原子的作用,文中对实验现象进行了分析讨论。
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