抛光工艺对硅片表面Haze值的影响

来源 :半导体技术 | 被引量 : 0次 | 上传用户：ZHANQIWEI

【摘要】

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ue＊M＃’＃dkB4＃＃8＃”专利申请号:00109“7公开号:1278062申请日:00.06.23公开日:00.12.27申请人地址:（100084川C京市海淀区清华园申请人:清华大学发明人:隋森芳文摘:本发明属于生物技

【作者】

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王永涛赵而敬尚锐刚李明飞鲁进军张建蔡

【出处】

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半导体技术

【发表日期】

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2004年期

【关键词】

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Haze值化学机械抛光(CMP) 微粗糙度抛光液硅片

【基金项目】

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国家科技重大专项资助项目(2008ZX02401)

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ue＊M＃’＃dkB4＃＃8＃”专利申请号:00109“7公开号:1278062申请日:00.06.23公开日:00.12.27申请人地址:（100084川C京市海淀区清华园申请人:清华大学发明人:隋森芳文摘:本发明属于生物技术领域,包括主机、控制电路和计算机三部分组成,主机包括由棱镜。敏感膜敏感芯片、半导 Ue*M#

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