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结合金属的场发射电子能谱，模拟计算了场渗透对n型半导体硅微尖的场发射能谱的影响，并与n型硅微尖的场发射能谱实验结果进行了比较，讨论了模拟计算误差的来源。计算结果表明电场渗透现象导致硅的场发射能谱向低能方向偏移，表面电场越高，能谱的偏移量越大，其偏移程度可超过1eV。导致硅微尖的场发射能谱偏移的主要因素是半导体的场渗透现象。