【摘 要】
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对用国产硒化锌(ZnSe)晶体制成的Au-ZnSe肖特基势垒进行了光电容测量。光子能量hv在0.57～0.61eV范围内的激发光引起单指数型电容瞬变过程。hv在0.67～1.0eV范围内的激发光引起的
【机 构】
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北京师范大学物理系,北京师范大学物理系,北京师范大学物理系,北京师范大学物理系,中国科学院长春物理研究所 1984年毕业生
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对用国产硒化锌(ZnSe)晶体制成的Au-ZnSe肖特基势垒进行了光电容测量。光子能量hv在0.57～0.61eV范围内的激发光引起单指数型电容瞬变过程。hv在0.67～1.0eV范围内的激发光引起的电容瞬变过程呈现双指数行为。回归分析结果表明样品中存在六个深能级,分别位于导带下方0.55,0.66,0.92,1.19,1.38和1.S2eV处。
The photocapacitance of Au-ZnSe Schottky barrier made with homemade ZnSe crystals was measured. The excitation light of the photon energy hv in the range of 0.57-0.61 eV causes the single exponential type capacitor transient process. hv in the range of 0.67 ~ 1.0eV excitation light caused by the capacitor transient process shows double exponential behavior. Regression analysis showed that there are six deep levels in the sample, located 0.55, 0.66, 0.92, 1.19, 1.38 and 1.S2eV below the conduction band respectively.
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