半磁半导体Cd1—xMnxTe压力光致发光研究

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采用金刚石对顶砧压机,在77K和不同压力下测量了半磁半导体Cd_(1-x)Mn_xTe(x=0.25,0.40,0.60)的光致发光光谱.分别在x=0.25和x=0.40的Cd_(1-x)Mn_xTe和Cd_(0.4)Mn_(0.6)Te中观察到两种不同性质的复合发光。根据发光峰的能量位置及其随压力的变化可以判定在Cd_(0.75)Mn_(0.25)Te和Cd_(0.6)Mn_(0.4)Te中的发光峰对应于带间复合发光,而Cd_(0.4)Mn_(0.6)Te中的发光峰对应于Mn离子3d↓能级到杂化价带的复
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