硅光伏测量电池的设计原理

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讨论了硅光伏测量电池的设计原理.还讨论了掺杂浓度、结深和表面复合速度对光伏电池主要参数(如开路电压、短路电流、反向暗电流和光谱响应)的影响.为了应用的需要,分析了串联电阻和傍漏电阻对线性的影响.最后给出了温度效应的数学模型和典型电路设计与R_(sA)的关系. The design principle of silicon photovoltaic cell is discussed.The effects of doping concentration, junction depth and surface recombination speed on the main parameters (such as open circuit voltage, short circuit current, reverse dark current and spectral response) of PV cell are also discussed. It is necessary to analyze the influence of series resistance and leakage resistance on the linearity.Finally, the mathematical model of temperature effect and the relationship between the typical circuit design and R_ (sA) are given.
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