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采用交流阻抗技术研究了表面活性剂对不同条件下双-1，2-[3（三乙氧基）硅丙基]四硫化物硅烷在铝合金表面阴极电化学辅助沉积成膜的影响。研究表明：在硅烷溶液中加入表面活性剂进行改性，可降低硅烷在铝合金表面电化学沉积的阴极沉积电位，抑制硅烷沉积过程中的析H2作用，改善电极界面区域硅烷成膜环境。试验证明：硅烷溶液中表面活性剂的最佳改性浓度为0．03％，在此浓度下，铝合金表面硅烷阴极电沉积的最佳沉积电位为-1．6V。