【摘 要】
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在集成电路制造过程中,巨大规模集成电路(GLSI)多层铜布线片化学机械抛光(CMP)后铜线条表面会生成一些CuO颗粒,这些颗粒不仅对器件性能有很大危害,而且会降低器件可靠性。对C
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在集成电路制造过程中,巨大规模集成电路(GLSI)多层铜布线片化学机械抛光(CMP)后铜线条表面会生成一些CuO颗粒,这些颗粒不仅对器件性能有很大危害,而且会降低器件可靠性。对CMP过程中CuO颗粒的产生机理进行了研究,针对CMP后铜表面所产生的CuO颗粒,采用主要有效成分为FA/OII型螯合剂和FA/OI型非离子表面活性剂的碱性清洗剂,结合聚乙烯醇(PVA)刷洗的方式对其进行清洗。利用金相显微镜、原子力显微镜(AFM)以及扫描电子显微镜(SEM)对铜光片清洗前后进行检测。实验结果表明,该清洗剂不仅能有效去除GLSI多层铜布线片CMP后在铜线条表面残留的CuO颗粒,而且成分简单环保,不含金属离子,因此有很好的应用前景。
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