Pr掺杂对Ce5.2Sm0.8MoO15-δ晶界及电性能的影响

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在Ce5.2Sm0.8-xPrxMoO15-δ体系中引入少量Pr得新氧化物Ce5.2Sm0.72Pr0.08MoO15-δ,通过X射线衍射(XRD),拉曼光谱(Raman),X射线光电子能谱(XPS),场发射扫描电镜(FE-SEM)等手段对氧化物结构进行分析,交流阻抗谱测试电性能;讨论掺杂少量Pr对Ce5.2Sm0.8MoO15-δ微观结构和电性能的影响.结果表明,少量Pr^3+的掺杂可降低晶界电阻,增加离子扩散通道,降低体系的总电导激活能和晶界电导激活能,提高氧化物的总电导率和晶界电导率;500℃时掺P
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