【摘 要】
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对一种新型反向生长工艺四结砷化镓太阳电池(IMM四结电池)开展了设计和在轨性能试验分析。该电池所用半导体材料的禁带宽度分别为1.9、1.4、1.0、0.7eV,材料特性的变化改善了
【机 构】
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北京空间飞行器总体设计部,北京卫星环境工程研究所,北京卫星制造厂有限公司
【基金项目】
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国家国防科工局民用航天预研基金项目(编号:D040202)
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对一种新型反向生长工艺四结砷化镓太阳电池(IMM四结电池)开展了设计和在轨性能试验分析。该电池所用半导体材料的禁带宽度分别为1.9、1.4、1.0、0.7eV,材料特性的变化改善了4个P-N结与AM0太阳光谱的匹配关系。文章介绍了该电池在提高光电转换效率方面的结构和工艺设计,通过实施在轨真实应用环境试验,全面系统获取四结砷化镓太阳电池在轨运行期间的遥测数据并进行分析处理,结果显示电池开路电压3.321V,短路电流密度15.76mA/cm^2,实际在轨转换效率在34.44%~34.79%之间,各项关键性能指
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