【摘 要】
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[目的]筛选不同实验条件下,尤其是镉胁迫下的姬松茸内参基因,为研究姬松茸镉富集相关基因功能研究奠定基础.[方法]根据不同浓度Cd(0、2、5 mg/L)胁迫下菌丝中转录组表达量数据,筛选出18个候选基因,设计了30对引物;根据引物扩增的特异性、扩增效率初步筛选出来自不同基因的5对引物;运用qRT-PCR检测了5个基因在不同浓度Cd胁迫下的菌丝样品、原基、菌柄和菌盖中的Ct值,利用geNorm、NormFinder和BestKeeper对这些基因的表达稳定性进行评价.[结果]SGT2和STK是菌丝阶段Cd胁
【机 构】
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福建农林大学国家菌草工程技术研究中心,福建福州 350002;广西大学农学院,广西大学食用菌研究所,广西南宁530004;福建省农业科学院科研处,福建福州 350003;福建省红壤山地农业生态过程重点
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[目的]筛选不同实验条件下,尤其是镉胁迫下的姬松茸内参基因,为研究姬松茸镉富集相关基因功能研究奠定基础.[方法]根据不同浓度Cd(0、2、5 mg/L)胁迫下菌丝中转录组表达量数据,筛选出18个候选基因,设计了30对引物;根据引物扩增的特异性、扩增效率初步筛选出来自不同基因的5对引物;运用qRT-PCR检测了5个基因在不同浓度Cd胁迫下的菌丝样品、原基、菌柄和菌盖中的Ct值,利用geNorm、NormFinder和BestKeeper对这些基因的表达稳定性进行评价.[结果]SGT2和STK是菌丝阶段Cd胁迫下最稳定的2个候选内参基因,GAPDH是不同组织中最稳定的内参基因,SGT2、STK和GAPDH是所有实验条件下最稳定的3个内参基因.[结论]在姬松茸镉胁迫条件下,本研究筛选出的SGT2和STK比常用的内参基因表现出更强的稳定性.
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采用磁控溅射法制备了不同厚度的Sn15Sb85薄膜,使用电阻-温度-时间测试系统研究了Sn15Sb85薄膜在热致作用下从非晶态到晶态的相变动力学过程.应用近红外分光光度计获得了非晶Sn15Sb85薄膜的反射率光谱,拟合计算得到薄膜的光学带隙.通过原子力显微镜观察了Sn15Sb85薄膜晶化后的表面形貌,研究了膜厚对薄膜粗糙度的影响.通过X射线衍射仪(XRD)分析了晶态Sn15Sb85薄膜的相结构及晶粒尺寸变化.采用互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺制备了基于不同厚度Sn15Sb85薄膜的T型相变存储器单元
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