【摘 要】
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提出了一种新型图形化三埋层SOI LDMOS高压器件结构,利用阶梯埋层和埋层1窗口将大量空穴束缚于埋层1和埋层2的上表面,提高了两者的纵向电场,并将器件的耐压从常规结构的470V
【机 构】
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石家庄铁道大学四方学院,石家庄学院,石家庄市裕华区教育局
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提出了一种新型图形化三埋层SOI LDMOS高压器件结构,利用阶梯埋层和埋层1窗口将大量空穴束缚于埋层1和埋层2的上表面,提高了两者的纵向电场,并将器件的耐压从常规结构的470V提高到了805V。因为埋层2的厚度和介电常数对器件耐压无影响,所以埋层2可选取较薄且热导率较高的绝缘材料,埋层2采用热导率为40 W/(m·K)的绝缘介质比采用SiO2最高结温降低了12K。新型器件结构达到兼顾提高耐压和降低自热效应的效果。
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