【摘 要】
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我们研制的Ag Br单晶溴离子敏感半导体传感器(简称Br~-—ISFET),是在场效应晶体管的绝缘栅上制备一层Ag Br单晶敏感层。这种传感器,灵敏度高,稳定性好,使用寿命长,且与一般溴
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我们研制的Ag Br单晶溴离子敏感半导体传感器(简称Br~-—ISFET),是在场效应晶体管的绝缘栅上制备一层Ag Br单晶敏感层。这种传感器,灵敏度高,稳定性好,使用寿命长,且与一般溴离子选择电极比较,还具有多功能化,全固体化和易集成化等特点。特别适应于生物,医学,航天,遥测和摇控等方面。
We developed Ag Br single crystal bromine ion sensitive semiconductor sensor (Br ~ - ISFET), is the gate of the field-effect transistor to prepare a layer of Ag Br single crystal sensitive layer. This sensor, high sensitivity, good stability, long life, and compared with the general bromide ion selective electrode, but also with multi-functional, all-solidified and easy integration and so on. Particularly adapted to biological, medical, aerospace, telemetry and remote control and so on.
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