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HgCdTe薄片中表面电阻的变化对其总电阻的影响
HgCdTe薄片中表面电阻的变化对其总电阻的影响
来源 :半导体光电 | 被引量 : 0次 | 上传用户:wujie1983
【摘 要】
:
讨论了 HgCdTe 薄片当其厚度在20μm 左右时,表面与体内导电性质不同所出现的ρ-T 关系曲线,并与正常情况下的ρ-T 关系曲线比较。解释了某些 HgCdTe 薄片电阻率反常的原因。
【作 者】
:
尹敏
【机 构】
:
昆明物理研究所昆明650223
【出 处】
:
半导体光电
【发表日期】
:
1992年3期
【关键词】
:
HgCdTe薄片
电阻率
影响
HgCdTe Wafer
Resistivity
Surface Layer
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讨论了 HgCdTe 薄片当其厚度在20μm 左右时,表面与体内导电性质不同所出现的ρ-T 关系曲线,并与正常情况下的ρ-T 关系曲线比较。解释了某些 HgCdTe 薄片电阻率反常的原因。
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