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目的
探讨高精度经颅直流电刺激对精神分裂症患者视空间工作记忆的影响。
方法入组66例精神分裂症患者，采用随机，双盲，安慰剂对照的研究设计，按随机数字表法将被试随机分为真刺激组33例与安慰剂对照组33例，每个患者仅接受一次刺激，利用高精度经颅直流电刺激患者左侧背外侧前额叶，真刺激组采用1.5 mA的电流刺激20 min，对照组采用伪刺激，仅刺激开始和结束的30 s内有电流通过。两组患者在刺激前均完成神经心理背景测试以及n-back任务；5 d以后进行一次刺激，刺激结束后两组患者再次完成n-back任务，对比分析观察刺激前后n-back任务成绩的变化，以此来反映工作记忆的变化。
结果刺激前后在3-back任务的反应正确率上，与对照组成绩[(0.32±0.21)，(0.32±0.22)]相比，真刺激组[(0.28±0.19)，(0.35±0.21)]，差异有统计学意义(F＝5.298，P＝0.025)。
结论高精度经颅直流电刺激刺激左背外侧前额叶皮层能提高患者视空间工作记忆功能，未来该技术可应用于精神分裂症患者记忆障碍的认知促进。