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采用冷场发射扫描电镜及红外能谱分析仪对氧化物表面形貌及组织进行观察,通过分析形核率的大小与化成电流密度,箔表面形貌等因素之间的关系,得到的结果表明:①形核率的大小直接关系到氧化膜中缺陷的多少;②电化学法形成氧化物在生长条件稳定时,可连续有序生长,而在条件遭到破坏时生长停止,再形成时必须重新成核生长。而这样将使氧化膜中的晶界缺陷增多。