【摘 要】
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为了理解三维纳米颗粒薄膜体系中电子的跳跃传导行为,采用射频磁控溅射法在玻璃基片上制备了一系列不同Sn：In2O3（ITO）体积分数的三维（ITO）x（SiO2）1-x纳米颗粒薄膜样品,对绝缘性样品
【机 构】
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天津大学理学院天津市低维材料物理与制备技术重点实验室
【出 处】
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天津大学学报(自然科学与工程技术版)
论文部分内容阅读
为了理解三维纳米颗粒薄膜体系中电子的跳跃传导行为,采用射频磁控溅射法在玻璃基片上制备了一系列不同Sn：In2O3（ITO）体积分数的三维（ITO）x（SiO2）1-x纳米颗粒薄膜样品,对绝缘性样品在2~300,K温度范围内电导率与温度的关系进行了系统研究.在低温区（〈120,K）,电导率与温度遵从lnσ∝T^-1/2的关系,体系的电子输运机制符合Abeles等提出的跳跃传导模型,电子的输运以颗粒间的跳跃为主,颗粒库仑充电能主导着颗粒间电子的输运过程.而在高温区,体系的电子输运机制符合热涨落诱导的隧穿导电模
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