【摘 要】
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目前,先进的VLSI器件要求提高器件开关速度,提高抗噪音能力,并要求把芯片尺寸减至最小。最近,在VLSI制造领域,兆电子伏(以下简称MeV)离子注入引起了人们极大的注意,因为对于V
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目前,先进的VLSI器件要求提高器件开关速度,提高抗噪音能力,并要求把芯片尺寸减至最小。最近,在VLSI制造领域,兆电子伏(以下简称MeV)离子注入引起了人们极大的注意,因为对于VLSI制造提出的要求,预计它是最可行的解决办法之一。为了实现这种可能性,第一次在离子注入领域中采用了RFQ(射频四极透镜)加速器,并且已经研制成功一台“RFQ—1000”MeV离子注入机。首先,本文将简要地介绍这种注入机研制的基本情况,重点则放在介绍RFQ上。其次是概括性地给出系统结构和特征。接下来是介绍注入机的详细性能,如束流
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