【摘 要】
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为顺应集成电路设计对器件提出更高性能要求的趋势,提出一种高性能折叠I型栅无结场效应晶体管,主要研究此类产品在不同栅极长度下的电学特性,讨论栅极的几何形状改变对器件性
【机 构】
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沈阳工业大学信息科学与工程学院,沈阳,110870
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为顺应集成电路设计对器件提出更高性能要求的趋势,提出一种高性能折叠I型栅无结场效应晶体管,主要研究此类产品在不同栅极长度下的电学特性,讨论栅极的几何形状改变对器件性能产生的影响.通过与普通的双栅、三栅无结场效应晶体管的仿真结果的对比,突出FIG JL FET在电学性能上所具备的优势,并给出栅极设计参数的最佳优化方案.仿真实验结果表明,相比于其他的栅型结构,折叠I型栅无结场效应晶体管具有更低的反向泄漏电流,Ion-Iof比也得到很大提升,而且几乎没有亚阈值的衰减.作为一款高性能器件,深具发展潜力.
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