【摘 要】
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针对纳米发电机不易在较低温度下产生稳定的直流电的问题,文中把GaN纳米线阵列制作了能量转换器件。将GaN能量转换器件分别置于25~74℃的环境中,检测器件产生的开路电压和短
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针对纳米发电机不易在较低温度下产生稳定的直流电的问题,文中把GaN纳米线阵列制作了能量转换器件。将GaN能量转换器件分别置于25~74℃的环境中,检测器件产生的开路电压和短路电流,并检测器件产生电信号大小与温度的关系。结果表明,通过刻蚀法制备的GaN纳米线阵列,制作成能量转换器件后,产生的电信号会随着环境温度的升高而增加,并且在约74℃时,可以产生高达78 mV的开路电压和0.24 nA的短路电流。
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