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分别研究了0.18μm NMOSFETS的传统漏雪崩热载流子（DAHC）和衬底偏压增强电子注入（SEEI）的退化机制。结果表明,在这两个偏置条件下,界面缺陷的产生均是导致热载流子诱导器件性能退化的主导因素。界面缺陷诱导的反型层电子迁移率下降是导致先进深亚微米NMOSFETS电学特性退化的根本原因。