论文部分内容阅读
采用沉淀-浸渍法制备Co／ZnO催化剂，研究还原温度对Co／ZnO催化剂F—T合成反应性能影响。结果表明，催化剂Co／ZnO适宜在较低温度还原，Co负载质量分数5％和10％的催化剂最佳还原温度分别为260℃和250℃。还原温度与催化剂活性之间的关系取决于Co／ZnO催化剂上Co的分布状态，氧化态Co以约50nm的颗粒存在于ZnO表面，容易被氢还原。低温还原的Co基催化剂是浆态床F—T合成的良好催化剂。